15C01C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
15C01C |
| 参数属性 | 15C01C 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 15V 0.7A 3CP |
| 功能描述 | Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
32.21 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | SANYO |
| 中文名称 | 三洋 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 9:35:00 |
| 人工找货 | 15C01C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
15C01C规格书详情
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
特性 Features
• Large current capacity
• Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE (sat) typ.=0.58Ω [IC=0.7A, IB=35mA]
• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products
• Small ON-resistance (Ron)
Applications
• Low-frequency Amplifier, muting circuit
产品属性
- 产品编号：
15C01C-TB-E
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 10mA，2V
- 频率 - 跃迁：
330MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
3-CP
- 描述：
TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
100586 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-323 |
771503 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
24000 |
原装正品现货,实单可谈,量大价优 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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24+ |
N/A |
48000 |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
7000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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