丝印：12N65；Package：TO-251；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test

文件：1.55476 Mbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丝印：12N65；Package：TO-252；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test

文件：1.55476 Mbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丝印：12N65；Package：TO-220；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test

文件：1.55476 Mbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丝印：12N65；Package：TO-220F；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test

文件：1.55476 Mbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丝印：12N65；Package：TO-220C；12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：891.31 Kbytes 页数：11 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：12N65；Package：TO-220C；12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：891.93 Kbytes 页数：11 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：12N65；Package：TO-220C；12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：891.23 Kbytes 页数：11 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：12N65；Package：TO-220C；12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：892.18 Kbytes 页数：11 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：12N65ANF；Package：TO-220F；650V N-Channel Planar MOSFET

Features Ultra Low gate Charge Low Crss Fast switching capability

文件：3.28183 Mbytes 页数：8 Pages

SY

顺烨电子

丝印：12N65ANP；Package：TO-220；650V N-Channel Planar MOSFET

Features Ultra Low gate Charge Low Crss Fast switching capability

文件：3.28183 Mbytes 页数：8 Pages

SY

顺烨电子