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12F100B数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

12F100B

参数属性

12F100B 封装/外壳为DO-203AA,DO-4,接线柱;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

功能描述

V(rrm): 1000V; 12A diffused silicon rectifier diode. For general pusposes: for battery chargers, converters, power supplies, machine tool controls

封装外壳

DO-203AA,DO-4,接线柱

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:39:00

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技术参数

  • 产品编号:

    12F100B BN R Y

  • 制造商:

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    12A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    DO-203AA,DO-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    DO-203AA

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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