选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
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6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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深圳市科雨电子有限公司4年
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深圳市科雨电子有限公司4年
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1214-110M图片
1214-110M中文资料Alldatasheet PDF
更多1214-110M制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 75V 8A 3-Pin Case 55KT-1 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1214-110M - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
产品属性
- 产品编号:
1214-110M
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
75V
- 频率 - 跃迁:
1.2GHz ~ 1.4GHz
- 增益:
7.4dB
- 功率 - 最大值:
270W
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
8A
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
55KT
- 供应商器件封装:
55KT
- 描述:
RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT