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12065A104JAT2A	文件：468.49 Kbytes Page：12 Pages	Indium Gallium Phosphorus HBT Indium Gallium Phosphorus HBT WLAN Power Amplifier Designed for 802.11g and dual mode applications with frequencies from 2400 to 2500 MHz. • 26.5 dBm P1dB @ 2450 MHz • Power Gain: 27.5 dB Typ (@ f = 2450 MHz, Class AB) • High Gain, High Efficiency and High Linearity • EVM = 3 Typ @ Pout = +1 文件：468.49 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
12065A104JAT2A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：1206（3216 公制）；包装：卷带（TR）类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER SMD	KSS 京瓷	KSS
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1206B102K202CT	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	WALSIN 华新科技上传：深圳市能元时代电子有限公司	WALSIN
1206B106K100NT	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	FH 上传：深圳市能元时代电子有限公司	FH

产品属性

产品编号：
12065A104JAT2A
制造商：
KYOCERA AVX
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
电压 - 额定：
50V
温度系数：
C0G，NP0
工作温度：
-55°C ~ 125°C
应用：
通用
安装类型：
表面贴装，MLCC
封装/外壳：
1206（3216 公制）
大小 / 尺寸：
0.126" 长 x 0.063" 宽（3.20mm x 1.60mm）
描述：
CAP CER SMD

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