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12065A103JAT2A

Indium Gallium Phosphorus HBT

Indium Gallium Phosphorus HBT WLAN Power Amplifier Designed for 802.11g and dual mode applications with frequencies from 2400 to 2500 MHz. • 26.5 dBm P1dB @ 2450 MHz • Power Gain: 27.5 dB Typ (@ f = 2450 MHz, Class AB) • High Gain, High Efficiency and High Linearity • EVM = 3 Typ @ Pout = +1

文件:468.49 Kbytes 页数:12 Pages

恩XP

恩XP

12065A103JAT2A

Package:1206(3216 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 10000PF 50V NP0 1206

KSS

京瓷

12065A103JAT2A

Package:1206(3216 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 10000PF 50V NP0 1206

KSS

京瓷

1206B102K202CT

SOP

WALSIN

华新科技

上传:深圳市能元时代电子有限公司

1206B106K100NT

SMD

FH

产品属性

  • 产品编号:

    12065A103JAT2A

  • 制造商:

    KYOCERA AVX

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±5%

  • 电压 - 额定:

    50V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 应用:

    通用

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    1206(3216 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)

  • 厚度(最大值):

    0.060"(1.52mm)

  • 描述:

    CAP CER 10000PF 50V NP0 1206

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更多12065A103JAT2A供应商 更新时间2026-2-4 11:10:00