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11AA080T-I/MNY集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

11AA080T-I/MNY
厂商型号

11AA080T-I/MNY

参数属性

11AA080T-I/MNY 封装/外壳为8-WFDFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC EEPROM 8KBIT SGL WIRE 8TDFN

功能描述

1K-16K UNI/O짰 Serial EEPROM Family Data Sheet
IC EEPROM 8KBIT SGL WIRE 8TDFN

文件大小

597.93 Kbytes

页面数量

38

生产厂商 Microchip Technology Inc.
企业简称

Microchip微芯科技

中文名称

微芯科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 22:59:00

11AA080T-I/MNY规格书详情

11AA080T-I/MNY属于集成电路(IC) > 存储器。微芯科技股份有限公司制造生产的11AA080T-I/MNY存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    11AA080T-I/MNY

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EEPROM

  • 技术:

    EEPROM

  • 存储容量:

    8Kb(1K x 8)

  • 存储器接口:

    单线

  • 写周期时间 - 字,页:

    5ms

  • 电压 - 供电:

    1.8V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-TDFN(2x3)

  • 描述:

    IC EEPROM 8KBIT SGL WIRE 8TDFN

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