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10ETF12S中文资料DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK数据手册Vishay规格书

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厂商型号

10ETF12S

参数属性

10ETF12S 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

功能描述

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 20:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    10ETF12S

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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