1012GN-800V数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号	1012GN-800V
参数属性	1012GN-800V 封装/外壳为55-KR；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：TRAN, GAN, 1030/1090 MHZ, 800W,
功能描述	RF/Microwave GaN on SiC Power Devices, Pallets and Modules TRAN, GAN, 1030/1090 MHZ, 800W,
封装外壳	55-KR
制造商	Microchip Microchip Technology
中文名称	微芯科技微芯科技股份有限公司
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-6 20:00:00
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1012GN-800V规格书详情

描述 Description

1025-1150 MHz 800W L-Band Avionics Output Stage GaN Transistor

简介

1012GN-800V属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的1012GN-800V晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

产品编号：
1012GN-800V
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
系列：
V
包装：
卷带（TR）
频率：
1.025GHz ~ 1.15GHz
增益：
19.3dB
功率 - 输出：
825W
封装/外壳：
55-KR
供应商器件封装：
55-KR
描述：
TRAN, GAN, 1030/1090 MHZ, 800W,

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