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100B1R0BW中文资料PDF规格书

100B1R0BW
厂商型号

100B1R0BW

参数属性

100B1R0BW 封装/外壳为1111(2828 公制);包装为托盘;类别为电容器 > 陶瓷电容器;100B1R0BW应用范围:射频,微波,高频,旁通,去耦;产品描述:CAP CER 1PF 500V P90 1111

功能描述

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件大小

693.36 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-24 12:34:00

产品属性

  • 产品编号:

    100B1R0BW500XT1K

  • 制造商:

    American Technical Ceramics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    Porcelain Superchip® ATC 100B

  • 包装:

    托盘

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 电压 - 额定:

    500V

  • 温度系数:

    P90

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低损耗,Low ESL

  • 应用:

    射频,微波,高频,旁通,去耦

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    1111(2828 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.110" 长 x 0.110" 宽(2.79mm x 2.79mm)

  • 厚度(最大值):

    0.102"(2.59mm)

  • 描述:

    CAP CER 1PF 500V P90 1111

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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