0912GN-15EP数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

描述 Description

Key Features960-1215MHz15W Pulsed Output Power128us, 10% PulsingCommon SourceClass AB50VDD Bias Voltage>60% Efficiency18.1 dB Typical Power Gain0.2 dB Typical Excellent Gain FlatnessExtremely Compact Size General Purpose Driver3 package options ? IFF, Mode-S, DME, TACAN, TCAS avionics applicationsAll gold metallization and eutectic die attach for highest reliability50? in/out lumped element very small footprint plug & play pallets available

简介

0912GN-15EP属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的0912GN-15EP晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。