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06035J1R8BBS	文件：901.87 Kbytes Page：18 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312BVisa2--stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorr	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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06035J1R8BS	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	GalliumArsenideCATVIntegratedAmplifierModule Description •24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features •Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •Built-inInputDiodeProtection •GaAsFETTransistorTechnology •Unconditi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
06035J1R8BS	文件：460.82 Kbytes Page：21 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3004NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

产品属性

产品编号：
06035J1R8BBSTR
制造商：
KYOCERA AVX
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
Accu-P®
包装：
卷带（TR）
容差：
±0.1pF
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0603（1608 公制）
工作温度：
-55°C ~ 125°C
特性：
RF，高 Q 值，低损耗
大小 / 尺寸：
0.063" 长 x 0.032" 宽（1.60mm x 0.81mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.029"（0.73mm）
描述：
CAP THIN FILM 1.8PF 50V 0603

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