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06035J0R4BBS

Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET)

250--4000 MHz, 12 dB 22.5 dBm GaAs HFET GPA The MMH3111NT1 is a general purpose amplifier that is internally input and output prematched. It is designed for a broad range of Class A, small--signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for applications with frequencies from

文件:468.79 Kbytes 页数:15 Pages

恩XP

恩XP

06035J0R4BBSTR

包装:卷带(TR) 类别:电容器 薄膜电容器 描述:ACCU-F/P

KYOCERA AVX

KYOCERA AVX

06035J0R4BBSTR-500

包装:卷带(TR) 类别:电容器 薄膜电容器 描述:ACCU-F/P

KYOCERA AVX

KYOCERA AVX

0603AF-471XJRU

Coilcraft/线艺
SMD

Coilcraft/线艺

0603B103J500NT

风华/FH
贴片电容

风华/FH

详细参数

  • 型号:

    06035J0R4BBS

  • 功能描述:

    多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 50volts 0.4pF ACCU-P

  • RoHS:

  • 制造商:

    American Technical Ceramics(ATC)

  • 电容:

    10 pF

  • 容差:

    1 %

  • 电压额定值:

    250 V

  • 温度系数/代码:

    C0G(NP0) 外壳代码 -

  • in:

    0505 外壳代码 -

  • mm:

    1414

  • 工作温度范围:

    - 55 C to + 125 C

  • 产品:

    Low ESR MLCCs

  • 封装:

    Reel

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更多06035J0R4BBS供应商 更新时间2025-9-30 15:03:00