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06033J220GBS	文件：901.87 Kbytes Page：18 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) High Efficiency/Linearity Amplifier The MMA20312BV is a 2--stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications as well as an output stage in femtocell or r 文件：901.87 Kbytes 页数：18 Pages	恩XP	恩XP
06033J220GBS	文件：678.66 Kbytes Page：15 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) High Efficiency/Linearity Amplifier The MMA20312B is a 2-stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications as well as an output stage in femtocell or rep 文件：678.66 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
06033J220GBS	文件：904.67 Kbytes Page：19 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 文件：904.67 Kbytes 页数：19 Pages	恩XP	恩XP
06033J220GBSTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0603（1608 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电容器薄膜电容器描述：CAP THIN FILM 22PF 25V 0603	KSS 京瓷	KSS
06033J220GBSTR-500	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0603（1608 公制）；包装：卷带（TR）类别：电容器薄膜电容器描述：CAP THIN FILM 22PF 25V 0603	KSS 京瓷	KSS

详细参数

型号：
06033J220GBS
功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 25volts 22pF 2%
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
电容：
10 pF
容差：
1 %
电压额定值：
250 V
温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
in：
0505 外壳代码 -
mm：
1414
工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
产品：
Low ESR MLCCs
封装：
Reel

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