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UPA2721AGR	文件：271.54 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) •Lowinputcapacitance C	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2721AGR-E1-AT	文件：271.54 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) •Lowinputcapacitance C	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2721AGR-E2-AT	文件：271.54 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) •Lowinputcapacitance C	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
UPA2721AGR
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Cut Tape

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