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UPA2721AGR-E1-AT	文件：271.54 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) •Lowinputcapacitance C	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2721AGR-E1-AT

文件：271.54 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) •Lowinputcapacitance C

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
UPA2721AGR-E1-AT
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Cut Tape

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPA2721AGR-E1-AT供应商更新时间2024-5-21 11:12:00

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