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UPA2761UGR-E2-AT	文件：207.02 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheμPA2761UGRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=18.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=9A) ⎯RDS(on)2=30mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7A) •LowCiss:Ciss=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2761UGR-E2-AT

文件：207.02 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheμPA2761UGRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=18.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=9A) ⎯RDS(on)2=30mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7A) •LowCiss:Ciss=

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
UPA2761UGR-E2-AT
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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