选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NECSOT163 |
12000 |
04+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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NECSOT163 |
12000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46380 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSOT-163 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSOT-163 |
1914 |
23+ |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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NEC/RENESASSOT163 |
9456 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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NECSOT-163 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NECSOT-163SOT-23-6 |
8114 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市富安睿科技有限公司6年
留言
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NECSOT-163 |
6000 |
21+ |
绝对原裝现货 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
留言
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NECSOT163 |
598000 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市芯诚实创科技有限公司2年
留言
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NECSOT-163 / SOT-23-6 |
8114 |
2022 |
全新原装现货热卖 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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NECSOT-163 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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NECSOT-163 |
20000 |
23+ |
原装正品 欢迎咨询 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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NECSOT-163 |
10800 |
23+ |
只做原装 欢迎咨询 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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NECSOT-163 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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NECSOT-163 |
1914 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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原装NECSOT-163 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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NECSOT-163 |
1914 |
02+ |
只做原装,也只有原装! |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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NECSOT-163 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
UPA606T采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
UPA606T图片
UPA606T价格
UPA606T价格:¥0.4550品牌:NEC
生产厂家品牌为NEC的UPA606T多少钱,想知道UPA606T价格是多少?参考价:¥0.4550。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UPA606T批发价格及采购报价,UPA606T销售排行榜及行情走势,UPA606T报价。
UPA606T中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA606T制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
UPA606T-T1-A功能描述:MOSFET DL N-CH 50V 100MA SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA606T-T2-A功能描述:MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR