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HCTS374KMSR	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS374KTR	文件：96.29 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-time	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374MS	文件：183.82 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374MS	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS374T	文件：96.29 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-time	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HE374B	文件：112.31 Kbytes Page：1 Pages	BroadbandAmplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HF374	文件：1.93062 Mbytes Page：12 Pages	SignalandRFRelays	MACOM Tyco Electronics	MACOM
HMC374	文件：219.69 Kbytes Page：6 Pages	SMTPHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,0.3-3.0GHz	Hittite HITTITE	Hittite
HMC374	文件：249.3 Kbytes Page：6 Pages	SMTPHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,0.3-3.0GHz GeneralDescription TheHMC374&HMC374EaregeneralpurposebroadbandLowNoiseAmplifiers(LNA)foruseinthe0.3-3GHzfrequencyrange.TheLNAprovides15dBofgainanda1.5dBnoisefigurefromasinglepositivesupplyof+2.75to+5.5V.Thelownoisefigurecoupledwithahigh	Hittite HITTITE	Hittite
HMC374E	文件：219.69 Kbytes Page：6 Pages	SMTPHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,0.3-3.0GHz	Hittite HITTITE	Hittite
HVC374B	文件：22.41 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •HighcapacitanceratioandgoodC-Vlinearity. •Tobeusableatlowvoltage. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HVC374B	文件：148.73 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •HighcapacitanceratioandgoodC-Vlinearity. •Tobeusableatlowvoltage. •Lowoperationcurrent. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD374B	文件：150.45 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISCNH374D	文件：330.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JD374A	文件：167.86 Kbytes Page：4 Pages	HPA5500-24G-SFPEISwitchwith2InterfaceSlots	ROUTER-SWITCHRouter-switch Ltd. 香港越健科技有限公司	ROUTER-SWITCH
JODY-W374	文件：111.14 Kbytes Page：2 Pages	Host-basedmoduleswithWi-Fi6andBluetooth5.1 Keyfeatures •2x2MIMO802.11ax5GHz,beamforming •Wi-Ficoncurrentdualband2.4and5GHz •Wi-Fidatarates(PHY):Upto1.2Gbit/s(5GHz) •Wi-Fi20,40,and80MHzchannels •DFSmasterzero-wait •Multi-roleoperation:AP,STA,P2P •Security:WPA3,allcommonmethodsofsecurity	U-BLOXu-blox AG AGu-blox AG	U-BLOX
JST374H	文件：186.57 Kbytes Page：1 Pages	TriacChip	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电子江苏捷捷微电子股份有限公司	JIEJIE
KP374	文件：121.8 Kbytes Page：8 Pages	ACandPulsePolypropyleneFilmFoilCapacitorsKPRadialEpoxyLacqueredType	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
LDH374A	文件：300.2 Kbytes Page：13 Pages	16-BITEDGE-TRIGGEREDD-TYPEFLIP-FLOPWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LDH374A	文件：392.27 Kbytes Page：18 Pages	16-BITEDGE-TRIGGEREDD-TYPEFLIP-FLOPWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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详细参数

型号：
TS374CD
功能描述：
校验器 IC Lo-Pwr Quad Voltage
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Push-Pull
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.1 V
补偿电压（最大值）：
6 mV
电源电流（最大值）：
1350 nA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-70-5
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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详细参数

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