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HVC374B	文件：148.73 Kbytes Page：5 Pages	Variable Capacitance Diode for VCO Features •HighcapacitanceratioandgoodC-Vlinearity. •Tobeusableatlowvoltage. •Lowoperationcurrent. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVC374B	文件：22.41 Kbytes Page：5 Pages	Variable Capacitance Diode for VCO Features •HighcapacitanceratioandgoodC-Vlinearity. •Tobeusableatlowvoltage. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
374	文件：93.96 Kbytes Page：2 Pages	SUBMINIATUREFUSES	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
374	文件：97.97 Kbytes Page：2 Pages	Workhorseclampwithincreasedperformanceandflexibility	FLUKEFluke Corporation 福禄克公司	FLUKE
374E	文件：219.69 Kbytes Page：6 Pages	SMTPHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,0.3-3.0GHz	Hittite HITTITE	Hittite
374ISN	文件：297.04 Kbytes Page：32 Pages	4.5A,500kHzStep-DownSwitchingRegulator	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
ACS374D	文件：71.6 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Description TheIntersilACS374MSisaradiationhardenedoctalD-typeflip-flopwiththree-stateoutputs.Theeightedge-triggeredflip-flopsenterdataintotheirregistersonthelowtohightransitionofclock(CP).TheOutputEnable(OEN)controlsthethree-stateoutputsandisindependento	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ACS374D	文件：346.66 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Features •1.25MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose300KRAD(Si) •SingleEventUpset(SEU)Immunity 80MEV-cm2/mg •DoseRateUpset>1011RAD(Si)/s,20nsPulse •Latch-UpFreeUnderAnyConditions •MilitaryTemperatureRa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ACS374DMSR	文件：346.66 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Features •1.25MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose300KRAD(Si) •SingleEventUpset(SEU)Immunity 80MEV-cm2/mg •DoseRateUpset>1011RAD(Si)/s,20nsPulse •Latch-UpFreeUnderAnyConditions •MilitaryTemperatureRa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ACS374DMSR	文件：71.6 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Description TheIntersilACS374MSisaradiationhardenedoctalD-typeflip-flopwiththree-stateoutputs.Theeightedge-triggeredflip-flopsenterdataintotheirregistersonthelowtohightransitionofclock(CP).TheOutputEnable(OEN)controlsthethree-stateoutputsandisindependento	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ACS374HMSR	文件：71.6 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Description TheIntersilACS374MSisaradiationhardenedoctalD-typeflip-flopwiththree-stateoutputs.Theeightedge-triggeredflip-flopsenterdataintotheirregistersonthelowtohightransitionofclock(CP).TheOutputEnable(OEN)controlsthethree-stateoutputsandisindependento	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ACS374HMSR	文件：346.66 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Features •1.25MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose300KRAD(Si) •SingleEventUpset(SEU)Immunity 80MEV-cm2/mg •DoseRateUpset>1011RAD(Si)/s,20nsPulse •Latch-UpFreeUnderAnyConditions •MilitaryTemperatureRa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ACS374K	文件：346.66 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Features •1.25MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose300KRAD(Si) •SingleEventUpset(SEU)Immunity 80MEV-cm2/mg •DoseRateUpset>1011RAD(Si)/s,20nsPulse •Latch-UpFreeUnderAnyConditions •MilitaryTemperatureRa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ACS374K	文件：71.6 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Description TheIntersilACS374MSisaradiationhardenedoctalD-typeflip-flopwiththree-stateoutputs.Theeightedge-triggeredflip-flopsenterdataintotheirregistersonthelowtohightransitionofclock(CP).TheOutputEnable(OEN)controlsthethree-stateoutputsandisindependento	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ACS374KMSR	文件：71.6 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Description TheIntersilACS374MSisaradiationhardenedoctalD-typeflip-flopwiththree-stateoutputs.Theeightedge-triggeredflip-flopsenterdataintotheirregistersonthelowtohightransitionofclock(CP).TheOutputEnable(OEN)controlsthethree-stateoutputsandisindependento	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ACS374KMSR	文件：346.66 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Features •1.25MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose300KRAD(Si) •SingleEventUpset(SEU)Immunity 80MEV-cm2/mg •DoseRateUpset>1011RAD(Si)/s,20nsPulse •Latch-UpFreeUnderAnyConditions •MilitaryTemperatureRa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ACS374MS	文件：346.66 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Features •1.25MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose300KRAD(Si) •SingleEventUpset(SEU)Immunity 80MEV-cm2/mg •DoseRateUpset>1011RAD(Si)/s,20nsPulse •Latch-UpFreeUnderAnyConditions •MilitaryTemperatureRa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ACS374MS	文件：71.6 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop,Three-State Description TheIntersilACS374MSisaradiationhardenedoctalD-typeflip-flopwiththree-stateoutputs.Theeightedge-triggeredflip-flopsenterdataintotheirregistersonthelowtohightransitionofclock(CP).TheOutputEnable(OEN)controlsthethree-stateoutputsandisindependento	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ACTF374	文件：77.19 Kbytes Page：3 Pages	low-loss,compact,andeconomicalsurface-acoustic-wave(SAW)filter	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
ACTFF374S	文件：157.34 Kbytes Page：5 Pages	WirelessLANapplications	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT

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详细参数

型号：
HVC374B
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Variable Capacitance Diode for VCO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	HVC374B	HITACHI		SOD-523	19119		询价
深圳市博浩通科技有限公司	HVC374B	HITACHI	23+	SOD-523	30000	全新原装正品	询价
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更多HVC374B供应商更新时间2024-5-29 16:30:00

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