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ITK10A50W	文件：289.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K10A50D	文件：205.01 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType OfficialSite:http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=TK10A50D&lang=en •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.62Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=5.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
S10A50	文件：227.98 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SchottkyBarrierRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestat-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingand	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
S10A50PT	文件：68.54 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE30-60VoltsCURRENT10Amperes FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 MetalSiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop *Guardringforo	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
TK10A50D	文件：205.01 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType OfficialSite:http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=TK10A50D&lang=en •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.62Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=5.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK10A50D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK10A50D	文件：318.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.72Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK10A50W	文件：255.59 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.327Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK10A50W	文件：289.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
U10A50	文件：135.48 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECTIFIERS(10A,300-600V) UltraFastRecoveryRectifierDiodes ULTRAFASTRECTIFIERS10AMPERES300--600VOLTS	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
VRPB-10A50L	文件：518.539 Kbytes Page：22 Pages	NON-ISOLATEDDC/DCCONVERTERS12VInput/1.0-5.0VOutput/10A	bel Bel Fuse Inc.	bel
VRPB-10A50S	文件：518.539 Kbytes Page：22 Pages	NON-ISOLATEDDC/DCCONVERTERS12VInput/1.0-5.0VOutput/10A	bel Bel Fuse Inc.	bel

详细参数

型号：
TK10A50D(Q)
制造商：
Toshiba America Electronic Components

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