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TK10A50D中文资料PDF规格书

TK10A50D
厂商型号

TK10A50D

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

文件大小

205.01 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-28 17:43:00

TK10A50D规格书详情

Official Site : http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=TK10A50D&lang=en

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.62 Ω(typ.)

• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪= 5.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 500 V)

• Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

产品属性

  • 型号:

    TK10A50D

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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