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STW20NM65N	文件：573.92 Kbytes Page：18 Pages	Low gate input resistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STF20NM65N	文件：864.05 Kbytes Page：16 Pages	N-channel650V,0.250廓,15ATO-220,TO-220FPsecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs realizedusingthesecondgenerationMDmesh™ technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFET ass	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF20NM65N	文件：573.92 Kbytes Page：18 Pages	Lowgateinputresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFI20NM65N	文件：783.17 Kbytes Page：12 Pages	N-channel650V,15A,0.250廓typ.,MDmesh??IIPowerMOSFETinaI짼PAKFPpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STW20NM65N
功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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