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STP20NM65N	文件：864.05 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 650 V, 0.250 廓, 15 A TO-220, TO-220FP second generation MDmesh??Power MOSFET Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs realizedusingthesecondgenerationMDmesh™ technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFET ass	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP20NM65N	文件：573.92 Kbytes Page：18 Pages	Low gate input resistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB20NM65N	文件：573.92 Kbytes Page：18 Pages	Lowgateinputresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF20NM65N	文件：864.05 Kbytes Page：16 Pages	N-channel650V,0.250廓,15ATO-220,TO-220FPsecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs realizedusingthesecondgenerationMDmesh™ technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFET ass	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF20NM65N	文件：573.92 Kbytes Page：18 Pages	Lowgateinputresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFI20NM65N	文件：783.17 Kbytes Page：12 Pages	N-channel650V,15A,0.250廓typ.,MDmesh??IIPowerMOSFETinaI짼PAKFPpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STW20NM65N	文件：573.92 Kbytes Page：18 Pages	Lowgateinputresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP20NM65N
功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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