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STW14NM65N	文件：550.19 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 650 V, 0.33 廓, 12 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™Technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretotheCompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’slowestonresistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemos	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
14NM65N	文件：1.03924 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB14NM65N	文件：1.03992 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB14NM65N	文件：550.19 Kbytes Page：18 Pages	N-channel650V,0.33廓,12AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK,TO-247 Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™Technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretotheCompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’slowestonresistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemos	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF14NM65N	文件：550.19 Kbytes Page：18 Pages	N-channel650V,0.33廓,12AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK,TO-247 Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™Technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretotheCompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’slowestonresistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemos	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STI14NM65N	文件：550.19 Kbytes Page：18 Pages	N-channel650V,0.33廓,12AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK,TO-247 Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™Technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretotheCompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’slowestonresistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemos	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STW14NM65N
功能描述：
MOSFET N-channel 650V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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