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STW11NK100Z	文件：312.47 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 1000V - 1.1廓 - 8.3A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH??PowerMOSFET Description TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstrip-basedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STW11NK100Z	文件：348.17 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=8.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(typ)@VGS=10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW11NK100	文件：330.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.38Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
W11NK100Z	文件：312.47 Kbytes Page：14 Pages	N-channel1000V-1.1廓-8.3A-TO-247Zener-ProtectedSuperMESH??PowerMOSFET Description TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstrip-basedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW11NK100Z
功能描述：
MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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