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STI24NM65N	文件：552.37 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 650 V - 0.16 廓 - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STI24NM65N	文件：358.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STB24NM65N	文件：314.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •LowDrain-SourceOn-Resistance FEATURES •DrainCurrent–ID=19A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=190mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandr	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF24NM65N	文件：311 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STP24NM65N	文件：320.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
STI24NM65N
功能描述：
MOSFET N-Ch, 650V-0.16ohms 19A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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