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STB24NM65N规格书详情
DESCRIPTION
• Low Drain-Source On-Resistance
FEATURES
• Drain Current –ID= 19A@ TC=25℃
• Drain Source Voltage-
: VDSS= 650V(Min)
• Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 190mΩ (Max)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Switching application
产品属性
- 型号:
STB24NM65N
- 功能描述:
MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2020+ |
TO-263 |
80000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
6000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
20000 |
深圳原装现货正品有单价格可谈 |
询价 | ||
ST |
23+ |
SMD |
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ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
D2PAK |
37650 |
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询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST |
2018+ |
TO-263 |
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询价 | ||
STM原厂目录 |
24+ |
D2PAK |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
90000 |
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询价 |