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STFI10NK60Z	文件：530.48 Kbytes Page：13 Pages	Extremely high dv/dt capability	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STFU10NK60Z	文件：593.28 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,0.68Ωtyp.,10A,SuperMESHTMPowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage Features Extremelyhighdv/dtcapability 100avalanchetested Gatechargeminimized Zener-protected Description ThishighvoltagedeviceisaZener-protected N-channelPowerMOSFETdevelopedusingthe SuperMESH™technologyby STMicroelectronics,anoptimizationofthe well-esta	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP10NK60Z	文件：1.10781 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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