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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

12年 留言
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    曹小姐(专营进口原装!公司现货!)

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ST/意法TO263

9262

23+

原装优势公司现货!

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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ST/意法D2PAK

31518

17+

原装正品 可含税交易

深圳市星辰微电科技有限公司

3年 留言
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STD2PAK

12500

23+

ST系列在售,可接长单

深圳市汇创佳电子科技有限公司

6年 留言
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STGB10NB40LZT4

stTO-263

5600

15+

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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    李先生

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STGB10NB40LZT4

STMicroelectronicsTO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片

30000

24+

1+
:¥0.088

晶体管-分立半导体产品-原装正品

深圳市明嘉莱科技有限公司

3年 留言
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ST/意法NA

860000

24+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市振鑫微电子科技有限公司

5年 留言
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    肖先生 张小姐 刘先生 罗先生

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ST(意法)N/A

589610

23+

新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理!

深圳市威尔健半导体有限公司

4年 留言
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    何妮妮

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ST/意法TO263

9262

23+

深圳市特莱科技有限公司

6年 留言
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    李生

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ST意法半导体TO263

12580

24+23+

16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

中科航电(深圳)电子集团有限公司

10年 留言
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STTO-263

699839

集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规

深圳市赛美科科技有限公司

9年 留言
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STTO263

9262

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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STD2PAK

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市广弘电子有限公司

4年 留言
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ST(意法)TO263

65000

2002

原装正品假一罚万

深圳市凌旭科技有限公司

12年 留言
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    谢先生

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STTO263

9262

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市远进半导体有限公司

3年 留言
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    张俊凯

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    深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-Y

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STTO-263

25000

22

3月31原装,微信报价

深圳市瑞浩芯科技有限公司

10年 留言
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    付小姐

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STTO-263

25000

20+

全新原装现货,假一赔十

深圳市易讯博科技有限公司

4年 留言
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    王小姐

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NA

1000

22+

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深圳市国宇半导体科技有限公司

5年 留言
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ST/意法D2PAK

10000

23+

公司只做原装正品

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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    杨小姐

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    深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D

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STD2PAK

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市鹏锦翔科技有限公司一部

3年 留言
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    张经理

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    深圳市福田区华强北新欣大厦B座320

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STTO-263

25000

20+

全新原装现货 假一赔十

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STGB10NB40LZT4价格

STGB10NB40LZT4价格:¥6.1123品牌:STMicroelectronics

生产厂家品牌为STMicroelectronics的STGB10NB40LZT4多少钱,想知道STGB10NB40LZT4价格是多少?参考价:¥6.1123。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,STGB10NB40LZT4批发价格及采购报价,STGB10NB40LZT4销售排行榜及行情走势,STGB10NB40LZT4报价。

STGB10NB40LZT4中文资料Alldatasheet PDF

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STGB10NB40LZT4功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    STGB10NB40LZT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 4.5V,10A

  • 开关能量:

    2.4mJ(开),5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    1.3µs/8µs

  • 测试条件:

    328V,10A,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 440V 20A 150W D2PAK