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STGB10NB37LZT4	文件：751.46 Kbytes Page：15 Pages	10 A - 410 V internally clamped IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thebuiltincollector-gateZenerexhibits averypreciseactiveclampingwhilethegateemitterZenersuppliesanESDprotection. Feat	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGB10NB37LZT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 440V 20A 125W D2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STGB10NB37LZT4

文件：751.46 Kbytes

Page：15 Pages

10 A - 410 V internally clamped IGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thebuiltincollector-gateZenerexhibits averypreciseactiveclampingwhilethegateemitterZenersuppliesanESDprotection. Feat

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STGB10NB37LZT4

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 440V 20A 125W D2PAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGB10NB37LZT4
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 4.5V，10A
开关能量：
2.4mJ（开），5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
1.3µs/8µs
测试条件：
328V，10A，1 千欧，5V
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 440V 20A 125W D2PAK

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