SPD30P06PGXT规格书应用电路贸易商瑞萨电子-114ic电子网

首页 >SPD30P06PGXT>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
30P06	文件：971.54 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MSD30P06	文件：544.27 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MTB30P06	文件：247.61 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTS TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB30P06KFP	文件：414.85 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTB30P06V	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06V	文件：247.61 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTS TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB30P06V	文件：87.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06VG	文件：87.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06VG	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTBV30P06V	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP30P06	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP30P06V	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP30P06V	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP30P06V	文件：941.45 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP30P06VG	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCE30P06J	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P06Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-6.5A RDS(ON	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
RFG30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP30P06	文件：939.22 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SF30P06C	文件：679.5 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedSuperFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO

12 >>>

详细参数

型号：
SPD30P06PGXT
制造商：
Infineon Technologies
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	SPD30P06PGXT	INFINEON	23+		8000	只做原装现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SPD30P06PG低压MOS管	CCSEMI/芯能源	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	SPD30P06PG低压MOS管	CCSEMI/芯能源	2022	TO-252	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳兆威电子有限公司	SPD30P06PG其他IC	INFINEON/英飞凌	23+	TO-252	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市吉利鑫科技发展有限公司	SPD30P06PG其他被动元件	INFINEON/英飞凌	2022+	TO-252	79999		询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	SPD30P06PG其他被动元件	INFINEON/英飞凌	22+		162500	郑重承诺只做原装进口现货	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SPD30P06PG其他被动元件	INFINEON/英飞凌	新年份	TO252	64540	一级代理原装正品现货,支持实单!	询价
深圳市仟禧电子有限公司	SPD30P06PMOS(场效应管)	INFINEON/英飞凌	22+	TO-252	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市创盛芯科技有限公司	SPD30P06PMOS(场效应管)	INFINEON/英飞凌	22+	TO-252	45000	原装现货假一赔十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	SPD30P06PMOS(场效应管)	INFINEON/英飞凌	21+	TO-252	9852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价

更多SPD30P06PGXT供应商更新时间2024-5-13 15:01:00

详细参数

相关规格书

相关库存