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30P06	文件：971.54 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MSD30P06	文件：544.27 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MTB30P06	文件：247.61 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTS TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB30P06KFP	文件：414.85 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTB30P06V	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06V	文件：247.61 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTS TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB30P06V	文件：87.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06VG	文件：87.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06VG	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTBV30P06V	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP30P06	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP30P06V	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP30P06V	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP30P06V	文件：941.45 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP30P06VG	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCE30P06J	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P06Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-6.5A RDS(ON	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
RFG30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP30P06	文件：939.22 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SF30P06C	文件：679.5 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedSuperFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO

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详细参数

型号：
SPD30P06PT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市国宇半导体科技有限公司	SPD30PF03L	I	23+	TO-252	10000	公司只做原装正品	询价

更多SPD30P06PT供应商更新时间2024-5-14 15:00:00

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