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SI3454ADV-T1-E3	文件：61.46 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ●TrenchFET®PowerMOSFET ●100RgTested	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI3454ADV-T1-E3	文件：485.13 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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SI3454ADV-T1-E3

文件：61.46 Kbytes

Page：4 Pages

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ●TrenchFET®PowerMOSFET ●100RgTested

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SI3454ADV-T1-E3

文件：485.13 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SI3454ADV-T1-E3
功能描述：
MOSFET 30V 4.5A 0.06Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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