| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSOP6 |
7906200 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
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VISHAY/威世TSOP-6 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYSOT-163 |
60000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYSMD |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOT |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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VISHAY/SILICONIXSOT-163SOT-23-6 |
8900 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VTSMT6 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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VISHAY6-TSOP |
6680 |
23+ |
全新原装优势 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYSOT-163 |
60000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOT26 |
27316 |
2228+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世6-TSOP |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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SILICONIXTSSOP-8 |
6010 |
17+ |
只做原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT163 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYSOT26 |
27316 |
24+ |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
100000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
10 |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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SI3812DV图片
SI3812DV价格
SI3812DV价格：￥0.9750品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI3812DV多少钱，想知道SI3812DV价格是多少？参考价：￥0.9750。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3812DV批发价格及采购报价，SI3812DV销售排行榜及行情走势，SI3812DV报价。
SI3812DV-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3812DV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI3812DV_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI3812DV-T1功能描述:MOSFET 20V 2.4A 1.15 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3812DV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 1.15 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3812DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
