| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOP8 |
8000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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61119 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOP |
12000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世通SOP-8 |
63258 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
83249 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
546 |
19+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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上海专毅电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP |
9888 |
17+ |
全新进口原装,现货库存 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
354000 |
22+ |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
42589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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VISHAY压力传感器 |
18000 |
23+ |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSMD |
20000 |
2018+ |
一级代理原装现货假一罚十 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
18064 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOP-8 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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SILSOP-8 |
9880 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
SI4562D采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4562D图片
SI4562DY-T1-E3价格
SI4562DY-T1-E3价格：￥11.1982品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4562DY-T1-E3多少钱，想知道SI4562DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥11.1982。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4562DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4562DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4562DY-T1-E3报价。
SI4562DY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4562DY功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET
SI4562DY-E3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2.0W 25/33mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
