| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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VISHAYSOP8 |
8000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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61119 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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SISOP8 |
300 |
23+ |
现货库存,全新原装,特价销售 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SISOP8 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHAYSO-8 |
4897 |
22+ |
绝对原装!现货热卖! |
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深圳市福安瓯科技有限公司11年
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VISHAYSOP-8 |
2050 |
22+ |
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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3000 |
自己现货 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
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VISHAY/威世SOP-8 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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SISOP8 |
50000 |
22+ |
只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询 |
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上海专毅电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP |
9888 |
17+ |
全新进口原装,现货库存 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
48700 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
30050 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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SINA |
30000 |
22+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOP8 |
2568 |
22+ |
原装优势!绝对公司现货 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHISOP-8 |
27946 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
18064 |
23+ |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOP8 |
12800 |
23+ |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
SI4562采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4562图片
SI4562DY-T1-E3价格
SI4562DY-T1-E3价格：￥11.1982品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4562DY-T1-E3多少钱，想知道SI4562DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥11.1982。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4562DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4562DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4562DY-T1-E3报价。
SI4562DY-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4562DY功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET
SI4562DY-E3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2.0W 25/33mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
