| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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61119 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOP8 |
8000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
25285 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VBSEMI-微碧车规-场效应管 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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SILSOP8 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SISOP8 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VBSEMI台湾微碧SO-8 |
22820 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
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VBsemi(台湾微碧)SO-8 |
105000 |
2112+ |
4000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
18064 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
500 |
23+ |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SMD-8 |
30000 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISH |
100 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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VISHAY/威世SOP-8 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
30050 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
SI4562DY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4562DY图片
SI4562DY-T1-E3价格
SI4562DY-T1-E3价格：￥11.1982品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4562DY-T1-E3多少钱，想知道SI4562DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥11.1982。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4562DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4562DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4562DY-T1-E3报价。
SI4562DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4562DY功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET
SI4562DY-E3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2.0W 25/33mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
