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F2017ERW	文件：217.73 Kbytes Page：2 Pages	F2000ERWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
F2017ERW	文件：225.6 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,Compact20W,2:1InputRangeDC/DCConverters KeyFeatures: •20WOutputPower •2:1InputVoltageRange •1,500VDCIsolation •Single&DualOutputs •Efficiencyto86 •Compact1.6x2In.Case •-40°Cto+71°COperation •IndustryStandardPin-Out •LowestCost!!	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
FMS2017	文件：164.84 Kbytes Page：5 Pages	2.4GHzDPDTGaAsSingle-BandWLANSwitch	FILTRONICFiltronic Compound Semiconductors Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
FMS2017QFN	文件：189.2 Kbytes Page：6 Pages	2.4GHzDPDTGaAsSingle-BandWLANSwitch	FILTRONICFiltronic Compound Semiconductors Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
FTD2017	文件：42.39 Kbytes Page：4 Pages	LoadSwitchingApplications LoadSwitchingApplications Features •LowONresistance. •2.5Vdrive. •Mountingheight1.1mm. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FTD2017	文件：1.99095 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FTD2017A	文件：1.08648 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FTD2017C	文件：314.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance •2.5Vdrive •Mountheigt1.1mm •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting •Draincommonspecifications •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FTD2017M	文件：57.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •2.5Vdrive. •Mountheight1.1mm. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting. •Draincommonspecifications.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FTD2017R	文件：54.36 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •2.5Vdrive. •Mountheight1.1mm. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting. •Draincommonspecifications.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
G2017	文件：120.08 Kbytes Page：1 Pages	RubberPush-InBumpers	Heyco Heyco	Heyco
GT-BGA-2017	文件：351.22 Kbytes Page：4 Pages	Easilyremovableswivelsocketlid	IRONWOODIronwood Electronics. Lronwood电子公司	IRONWOOD
H2017	文件：274.78 Kbytes Page：5 Pages	10/100BASE-TXVoIPMagneticsModules	pulse Pulse Electronics	pulse
H2017NL	文件：1.41878 Mbytes Page：5 Pages	RoHSpeakreflowtemperaturerating245C	pulse Pulse Electronics	pulse
H2017NL	文件：561.66 Kbytes Page：3 Pages	MDL,QUAD,100P,1:1,SM,TU	pulse Pulse Electronics	pulse
H2017NL	文件：1.41878 Mbytes Page：5 Pages	PowerOVEREthernet(PoE)Magneticsand(PoE)Magnetics	pulse Pulse Electronics	pulse
H2017NL	文件：646.41 Kbytes Page：5 Pages	10/100BASE-TXVoIPMagneticsModules	pulse Pulse Electronics	pulse
HAF2017	文件：134.23 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Descriptions ThisFEThastheovertemperatureshutdowncapabilitysensingthejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshutdowncircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshutdownthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpower	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2017(L)_15	文件：153.53 Kbytes Page：11 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTL-2017	文件：174.14 Kbytes Page：12 Pages	QuadratureDecoder/CounterInterfaceICs Description TheHCTL-2021/2017isCMOSICsthatperformsthequadraturedecoder,counter,andbusinterfacefunction.TheHCTL-2021/2017isdesignedtoimprovesystemperformanceindigitalclosedloopmotioncontrolsystemsanddigitaldatainputsystems.Itdoesthisbyshiftingtimeintensiv	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO

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详细参数

型号：
RJK2017DPE
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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