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RJK2017DPE-00-J3

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.036Ωtyp.(atID=22.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    RJK2017DPE-00-J3

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更多RJK2017DPE-00-J3供应商 更新时间2024-5-30 11:58:00