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RJK2017DPE	文件：114.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.036Ωtyp.(atID=22.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK2017DPE-00-J3	文件：114.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.036Ωtyp.(atID=22.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2017	文件：18.34 Kbytes Page：1 Pages	RESISTORMODULES	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
ABV2017	文件：79.69 Kbytes Page：7 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for65-130MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2017OC	文件：79.69 Kbytes Page：7 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for65-130MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2017OC-T	文件：79.69 Kbytes Page：7 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for65-130MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2017SC	文件：79.69 Kbytes Page：7 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for65-130MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2017SC-T	文件：79.69 Kbytes Page：7 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for65-130MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
AC2017	文件：176.56 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
ADAM-2017PZ	文件：237.24 Kbytes Page：1 Pages	Wireless6-chAnalogInputNodewithPowerAmplifier	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
ALN2017	文件：281.39 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ALN2017	文件：114.07 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
AN2017	文件：115.99 Kbytes Page：10 Pages	DIFFERENTWAYSTORESETST7MICROCONTROLLER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
ARA2017	文件：1.97504 Mbytes Page：15 Pages	ProgrammableGainAmplifier	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司	SKYWORKS
ARA2017	文件：520.07 Kbytes Page：17 Pages	ProgrammableGainAmplifier	ANADIGICS ANADIGICS	ANADIGICS
ARA2017	文件：531.72 Kbytes Page：15 Pages	ProgrammableGainAmplifier Description TheARA2017isahighlylinear,highoutputpower,programmablegainamplifieroptimizedforDOCSIS3.0cablemodemandE-MTAapplications.Usingalownoiseinputamplificationstageandanultralinearoutputdriveramplifier,thedevicegeneratesextremelylowdistortionproducts	ANADIGICS ANADIGICS	ANADIGICS
AVAS-OPAC-2017	文件：606.75 Kbytes Page：2 Pages	MedicalVMS/RecorderandComputingPlatform Features Multichannelsaresupportedtorecord4KandFHDmedicalvideos simultaneously H.265recordingtechniqueenablestosavehighqualityvideowhile conservingstoragecapacity Videosourcecanbepreviewedwith4Kp60tomakemedicalvideoaccessible AnopenSDKandAPIenable	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
AWG2017	文件：670.52 Kbytes Page：13 Pages	50~4000MHzWide-bandGainBlockAmplifierMMIC	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
B2017ERU	文件：281.94 Kbytes Page：2 Pages	B2000ERUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2017RU	文件：276.35 Kbytes Page：4 Pages	B2000RUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD

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详细参数

型号：
RJK2017DPE
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RJK2017DPE供应商更新时间2024-5-13 11:56:00

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