RJH60F5DPK 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 RENESAS/瑞萨

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1+	面议

厂家型号：
RJH60F5DPK
产品分类：
芯片
生产厂商：
RENESAS/瑞萨
库存数量：
32078
产品封装：
原厂封装
生产批号：
23+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2024-6-11 16:45:00

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详细信息
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原厂料号：RJH60F5DPK品牌：Renesas(瑞萨)

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RJH60F5DPK是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Renesas(瑞萨)/Renesas Electronics America Inc生产封装原厂封装/TO-220-3 整包的RJH60F5DPK晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
RJH60F5DPK
规格书：
下载下载2
企业简称：
RENESAS【瑞萨】详情
厂商全称：
Renesas Electronics America
中文名称：
瑞萨科技有限公司
内容页数：
7 页
文件大小：
86.04 kb
资料说明：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

产品属性

类型
描述
产品编号：
RJH60F5DPK-00#T0
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，40A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
53ns/105ns
测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P

供应商

企业：
深圳市正纳电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
杨先生/杨小姐
手机：
15986777949
询价：
电话：
0755-23901175
传真：
0755-83200684
地址：
深圳市福田区振兴路113号新欣大厦B座318

RJH60F5DPK 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 RENESAS/瑞萨

RJH60F5DPK

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