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RFD16N02LSM	文件：74.61 Kbytes Page：8 Pages	16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET Description TheRFD16N02LandRFD16N02LSMareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplica	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
16N02L	文件：960.01 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HM16N02D	文件：995.53 Kbytes Page：7 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
RFD16N02	文件：74.61 Kbytes Page：8 Pages	16A,20V,0.022Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFET Description TheRFD16N02LandRFD16N02LSMareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplica	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFD16N02	文件：959.96 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD16N02L	文件：74.61 Kbytes Page：8 Pages	16A,20V,0.022Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFET Description TheRFD16N02LandRFD16N02LSMareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplica	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

详细参数

型号：
RFD16N02LSM
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市莱克讯科技有限公司	RFD16N02LSM	INTERSIL	2017+	TO-252	25899	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	RFD16N02LSM		23+	N/A	49200	正品授权货源可靠	询价
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更多RFD16N02LSM供应商更新时间2024-4-29 15:30:00

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