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RFD16N02L	文件：74.61 Kbytes Page：8 Pages	16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET Description TheRFD16N02LandRFD16N02LSMareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplica	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFD16N02LSM	文件：74.61 Kbytes Page：8 Pages	16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET Description TheRFD16N02LandRFD16N02LSMareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplica	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
16N02L	文件：960.01 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HM16N02D	文件：995.53 Kbytes Page：7 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
RFD16N02	文件：959.96 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
RFD16N02L
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RFD16N02L供应商更新时间2024-4-29 10:20:00

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