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RFD20N03	文件：76.53 Kbytes Page：8 Pages	20A, 30V, 0.025 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheRFD20N03andRFD20N03SMN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplications	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFD20N03SM	文件：76.53 Kbytes Page：8 Pages	20A, 30V, 0.025 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheRFD20N03andRFD20N03SMN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplications	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFD20N03SM	文件：1.01573 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N03	文件：1.01516 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N03	文件：288.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
20N03HL	文件：1.01546 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N03J	文件：959.95 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N03L	文件：1.01522 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP20N03GP	文件：62.58 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AP20N03H	文件：84.25 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP20N03J	文件：84.25 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP20N03P	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP20N03S	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
B20N03	文件：148.78 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)20mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
BRD20N03	文件：1.26934 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
EMA20N03A	文件：224.75 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS25V RDSON(MAX.)20mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB20N03A	文件：152.91 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)20mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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EMB20N03Q	文件：144.66 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)22mΩ ID6A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE

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详细参数

型号：
RFD20N03
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Harris Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市跃创芯科技有限公司	RFD20N03	HARRIS?	21+	TO-251-3	60000	绝对原装正品现货,假一罚十	询价
利广微科技（深圳)有限公司	RFD20N03	HARRISCORPORATION		标准封装	58998	一级代理原装正品现货期货均可订购	询价
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深圳市博亿诚科技有限公司	RFD20N03	HARRISCORPORATION		NA	10550	普通	询价
深圳市创新迹电子有限公司	RFD20N03	HARRISCORPORATION	22+	NA	35000	原装现货,假一罚十	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	RFD20N03SM	FAIRCHILD	07+	TO-252	36800		询价

更多RFD20N03供应商更新时间2024-4-30 14:18:00

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