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PESD12VS2UAT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD12VS2UAT	文件：237.44 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES •UnidirectionalESDprotectionofupt	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD12VS2UAT	文件：122.37 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES •UnidirectionalESDprotectionofupt	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD12VS2UAT	文件：241.54 Kbytes Page：14 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package FEATURES ·UnidirectionalESDprotectionofuptotwolines ·Common-cathodeconfiguration ·Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20ms ·Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A ·Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM30kV ·IEC61000-4-2;lev	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD12VS2UQ	文件：675.27 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package 1.1Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultra smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotect uptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Appl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD12VS2UQ	文件：121.16 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD12VS2UQ	文件：304.69 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectuptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. Features ■UnidirectionalE	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD12VS2UQ	文件：171.73 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD12VS2UT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD12VS2UT	文件：235.89 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodesinaSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/2	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD12VS2UT	文件：235.89 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD12VS2UT	文件：250.44 Kbytes Page：14 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20μs •Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A •Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM23kV •IEC61000-4-2;level4(ESD) •IEC61000-4-5(su	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD12VS2UT	文件：544.6 Kbytes Page：4 Pages	Solid-statesilicon-avalanchetechnology Features ■300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) ■Bidirectionalandunidirectionalconfigurations ■Solid-statesilicon-avalanchetechnology ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■Lowcapacitance(Cj=60pFtyp.) ■Protectiontwodatalines ■IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair ■	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
PESD12VS2UT	文件：123.33 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodesinaSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/2	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PESD12VS2UAT T/R
功能描述：
TVS二极管阵列 12V DUAL ESD PROTECT
RoHS：
否
制造商：
Littelfuse
通道：
4 Channels
钳位电压：
11.5 V
工作电压：
2.5 V
峰值浪涌电流：
20 A
安装风格：
SMD/SMT
端接类型：
SMD/SMT
最小工作温度：
- 40 C
最大工作温度：
+ 85 C

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更多PESD12VS2UAT T/R供应商更新时间2024-5-21 15:30:00

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