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PESD12VS2UAT中文资料PDF规格书

PESD12VS2UAT
厂商型号

PESD12VS2UAT

参数属性

PESD12VS2UAT 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为电路保护 > TVS - 二极管;PESD12VS2UAT应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 12VWM 35VC SOT23

功能描述

Double ESD protection diodes in SOT23 package

文件大小

241.54 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 14:18:00

PESD12VS2UAT规格书详情

FEATURES

· Unidirectional ESD protection of up to two lines

· Common-cathode configuration

· Max. peak pulse power: Ppp = 330 W at tp = 8/20 ms

· Low clamping voltage: V(CL)R = 20 V at Ipp = 18 A

· Ultra-low reverse leakage current: IRM < 700 nA

· ESD protection > 30 kV

· IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

· IEC 61000-4-5 (surge); Ipp = 18 A at tp = 8/20 ms.

APPLICATIONS

· Computers and peripherals

· Communication systems

· Audio and video equipment

· Data lines

· CAN bus protection.

DESCRIPTION

Unidirectional double ESD protection diodes in common

cathode configuration in the SOT23 plastic package.

Designed to protect up to two transmission or data lines

against damage from ElectroStatic Discharge (ESD) and

other transients.

产品属性

  • 产品编号:

    PESD12VS2UAT,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    12V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    14.7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    35V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    5A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    180W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    38pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23(TO-236AB)

  • 描述:

    TVS DIODE 12VWM 35VC SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP-恩智浦
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SOT-23.贴片
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