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PESD12VS2UAT中文资料PDF规格书

PESD12VS2UAT
厂商型号

PESD12VS2UAT

参数属性

PESD12VS2UAT 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为电路保护 > TVS - 二极管;PESD12VS2UAT应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 12VWM 35VC SOT23

功能描述

Low VCEsat (BISS) transistors

文件大小

948.33 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ROYAL PHILIPS
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-15 14:18:00

产品属性

  • 产品编号:

    PESD12VS2UAT,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    12V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    14.7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    35V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    5A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    180W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    38pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23(TO-236AB)

  • 描述:

    TVS DIODE 12VWM 35VC SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP-恩智浦
24+25+/26+27+
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