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NVD5862N	文件：112.61 Kbytes Page：6 Pages	60 V, 5.7 m, 98 A, Single N-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5862N_15	文件：79.92 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5862NT4G	文件：79.92 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5862NT4G	文件：1.08524 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AN5862	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AN5862K	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AN5862K	文件：146.09 Kbytes Page：3 Pages	ANALOGSWITCHICSFORRGBINTERFACE	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AN5862S	文件：146.09 Kbytes Page：3 Pages	ANALOGSWITCHICSFORRGBINTERFACE	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
CPH5862	文件：64.93 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiodeGeneral-PurposeSwitchingDevice MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •DC/DCconverterapplications. •CompositetypewithaN-channelsilliconMOSFETandaschottkybarrierdiodecontainedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •2.5Vdrive. •[SBD] •Sho	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LP5862	文件：2.24409 Mbytes Page：57 Pages	LP586011횞18LEDMatrixDriverwith8-bitAnalogand8-/16-bitPWMDimming	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LP5862	文件：3.37646 Mbytes Page：56 Pages	LP5860T11×18LEDHigh-CurrentMatrixDriverwith8-BitAnalogand8-Bitor16-BitPWMDimming 1Features •LEDmatrixtopology: –18constantcurrentsinkswith11scanswitches for198LEDdots –Configurablefor1to11scanswitches •Operatingvoltagerange: –VCC/VLEDrange:2.7Vto5.5V –Logicpinscompatiblewith1.8V,3.3V,and5V •18constantcurrentsinkswithhigh	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LP5862	文件：2.55752 Mbytes Page：71 Pages	LP5861T18-ChannelHigh-CurrentLEDDriverwith8-BitAnalogand8-Bitor16-BitPWMDimming 1Features •Operatingvoltagerange: –VCC/VLEDrange:2.7Vto5.5V –Logicpinscompatiblewith1.8V,3.3V,and5V •18highcurrentandprecisionconstantcurrent sinks: –125mApercurrentsinkwhenVCC≥3.3V –Device-to-deviceerror:±5 –Channel-to-channelerror:±5 –Phase-	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LP5862DBTR	文件：3.37646 Mbytes Page：56 Pages	LP5860T11×18LEDHigh-CurrentMatrixDriverwith8-BitAnalogand8-Bitor16-BitPWMDimming 1Features •LEDmatrixtopology: –18constantcurrentsinkswith11scanswitches for198LEDdots –Configurablefor1to11scanswitches •Operatingvoltagerange: –VCC/VLEDrange:2.7Vto5.5V –Logicpinscompatiblewith1.8V,3.3V,and5V •18constantcurrentsinkswithhigh	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LP5862DBTR	文件：2.55752 Mbytes Page：71 Pages	LP5861T18-ChannelHigh-CurrentLEDDriverwith8-BitAnalogand8-Bitor16-BitPWMDimming 1Features •Operatingvoltagerange: –VCC/VLEDrange:2.7Vto5.5V –Logicpinscompatiblewith1.8V,3.3V,and5V •18highcurrentandprecisionconstantcurrent sinks: –125mApercurrentsinkwhenVCC≥3.3V –Device-to-deviceerror:±5 –Channel-to-channelerror:±5 –Phase-	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LP5862DBTR	文件：2.24409 Mbytes Page：57 Pages	LP586011횞18LEDMatrixDriverwith8-bitAnalogand8-/16-bitPWMDimming	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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NTD5862N	文件：86.99 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
NVD5862N
功能描述：
MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NVD5862N供应商更新时间2024-5-22 10:29:00

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