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NVBG015N065SC1	文件：331.48 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexem	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG015N065SC1	文件：345.47 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 650 V, 12 m, 145 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG015N065SC1_V01	文件：331.48 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexem	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG015N065SC1	文件：301.39 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET??SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L650V,12m,145A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG015N065SC1	文件：303.61 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–12mohm,650V,M2,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG015N065SC1	文件：329.52 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,12mohm,650V,M2,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(o	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL015N065SC1	文件：284.57 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–12mohm,650V,M2,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=430pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsec	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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